РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА


ДЕТЕКТОРЫ - часть 20


В небольших пределах (меньше 20%) частоту колеба­ний можно регулировать с помощью рези­стора R4. Для подавления колебаний бо­лее высокой частоты, которые возникают совместно с колебаниями основной, следу­ет включить резистор R5. Вспомогательные колебания возникают в основном в крем­ниевых транзисторах с большим коэффи­циентом передачи по току. Частота выход­ного сигнала определяется выражением fo=16*104/RC, где f — в герцах, R — в омах, С — в микрофарадах. Двухкаскадный генератор. Параметры схемы (рис. 9.2) можно рассчитать по формулам. Определяется минимально возможное со­противление резистора R4 из выражения R4>Uu/I, где Ua — напря­жение питания, I — максимально допустимый ток транзистора VT2. Для выполнения условий возбуждения необходимо положить коэф­фициент Y=0,05 (входит в выражение для определения R3<YR4/(l — Y)). При определении сопротивления резистора R2 не­обходимо руководствоваться неравенством R2>R4, а для опреде­ления емкостей конденсаторов С1 и С2 — формулами C2 =1/w0R2 и C1>2C2/h21ЭY. где h21э — коэффициент передачи тока транзи­стора VT1. Сопротивление резистора R1 определяется формулой R1>2h213R2. Для тех номиналов элементов, которые указаны на схеме, частота генерации равна 2 кГц. Для уменьшения нелинейных искажений необходимо подобрать сопротивление резистора R4 или R3.

       Рис. 9.1                                    Рис. 9.2                                    Рис. 9.3

Генератор на полевом транзисторе. Генератор инфранизкой ча­стоты (рис. 9.3) имеет амплитуду выходного сигнала 12 В. Частота колебания равна 1 Гц. В генераторе применена ООС (резисторы R2 и R3), которая стабилизирует параметры выходного сигнала. Применение в мосте Вина резисторов больших сопротивлений зна­чительно сократило габариты конденсаторов и тем самым уменьши­ло отклонение частоты от расчетного значения.

                                                          Рис. 9.4

Генератор с отрицательным сопротивлением. Низкочастотный LC-генератор (рис. 9.4, а) собран на двух полевых транзисторах, ко­торые образуют устройство с отрицательным дифференциальным сопротивлением (рис. 94,6).


Начало  Назад  Вперед