РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА


ГЕНЕРАТОРЫ НА МИКРОСХЕМАХ - часть 7


Эта формула справедлива при условии, что характеристики полевых транзисто­ров близки друг другу. Для уменьшения нелинейных искажений ге­нерируемых колебаний применяется ОС, осуществляемая через рези­сторы R3 — R6, которая выравнивает зависимость сопротивления полевого транзистора от напряжения в затворе Кроме того в схе­му введена еще одна цепь ООС, влияющая на форму колебаний. Эта связь выполнена на терморезисторе R8.

                                                          Рис. 9.27

                   Рис. 9.28                                  Рис. 9.29

С помощью полевых транзисторов можно перестраивать часто­ту генератора почти в 100 раз. Однако на краях диапазона наблю­дается значительное искажение формы колебаний.

Двухтактный генератор. Генератор (рис. 9 29) собран по двух­тактной схеме В коллекторы транзисторов включен колебательный контур. При заданной индуктивности частота выходного сигнала может меняться дискретно подключением конденсаторов. Резистор R1 позволяет точно настраиваться на фиксированные частоты Об­ратная связь осуществляется через резисторы R2 и R3. Амплитуду выходного сигнала можно регулировать с помощью резистора R8 Для установки частоты генератора с помощью С1, С2 можно поль­зоваться данными, приведенными в табл. 9.1.

Таблица 9.1

f, Гц

700

900

1100

1300

1500

1700

С1, нФ

60

60

60

4,5

2,25

1,5

С2, нФ

200

160

110

70

50

40




Начало  Назад  Вперед