РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА


МИКРОСХЕМЫ СЕРИИ К140УД1 - часть 11


В коллекторной цепи входного дифференциального каскада в качестве нагрузки использованы генераторы тока на транзисторах УТ5 и VT6, которые при совместной работе образуют схему транс­форматора тока. Между коллекторами транзисторов VT11 и VT12 включен ограничитель сигнала на VT8 и VT9. Выходной сигнал диф­ференциального каскада постулает на два усилителя на транзисто­рах VT21 и VT22. В коллекторах этих транзисторов включены гене-.раторы ток.а (VT27 и VT28). С коллектора транзистора VT27 через эмиттерный повторитель на транзисторе VT26 сигнал, поступает на эмиттерный повторитель на транзисторе VT29 и далее — в базу транзисторов VT31 и VT38. Через транзисторы VT31 и VT25 сигнал поступает в базу VT32. Генератор тока на транзисторе VT23 явля­ется нагрузкой для VT25. Таким образом, на йыход интегральной микросхемы сигнал поступает через два эмиттерных повторителя, транзисторы VT32 и VT37. Для защиты микросхемы от перегрузок служат транзисторы VT33VT35, которые открываются и уменьша­ют выходной сигнал, когда через резисторы R21 и R23 протекает значительный ток.

Основные функциональные зависимости параметров микросхемы представлены на рисунках. На рис. 1.78 показана амплитудно-частот­ная характеристика, а на рис. 1.79 — изменение амплитуды макси­мального выходного сигнала от частоты. Влияние выходного тока на выходное напряжение изображено на рис. 1.80. Частотная зависи­мость приведенной ко входу ЭДС шума показана на рис. 1.81. Влияние напряжения питания на потребляемый ток при различных температурах представлено на рис. 1.82. Произведение коэффициента усиления, на полосу пропускания и входной ток зависят от темпера­туры: Эти зависимости приведены на рис. 1.83 и Г.84. Влияние диф­ференциального входного напряжения на входной ток показано на рис. 1.85. На рис. 1.86 приведена зависимость скорости нарастания выходного сигнала от температуры. Для увеличения скорости нара­стания фронта выходного сигнала до 150 В/мкс целесообразно при­менение коррекции с помощью элементов Cl, R3, как показано на схеме рис. 1.87.


Начало  Назад  Вперед