РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА


СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА - часть 9


При R3 — 25 кОм опорное напряжение составляет 3,5 В.

3. МИКРОСХЕМНЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ

Микросхемные стабилизаторы. Интегральные микросхемы К275ЕН1 — К275ЕН16А, Б делятся на две группы: группа А имеет разброс выходного напряжения 1,5%, а группа Б — 2,5%. Основ­ные параметры микросхем приведены в табл. 16.1, где Ки — коэф­фициент нестабильности по напряжению, Ki — коэффициент неста­бильности по току; fвx — минимальное входное напряжение; Iвых — выходной ток. Схемы стабилизатороб серии К275 представ­лены на рис. 16.18, ад.

Интегральные микросхемы К403ЕН1 — К403ЕН8 делятся на две группы: группа. А имеет нестабильность по напряжению и по току 0,01%, а группа Б — 0,05%. Температурный коэффициент напря­жения равен ±0,05 %. Разброс выходного напряжения 2 %. Мини­мальный ток нагрузки 0,05 А. Рассеиваемая мощность без теплоот-вода 1 Вт, а с теплоотводом — 15 Вт. Параметры микросхем при­ведены в табл. 16.2, где Uвых — выходное напряжение; (7Bi — вход­ное напряжение, Iн — предельный ток нагрузки.

Таблица 16.1

Тип микросхемы

Uвых, В

K0 %

Ki %

Uвг, В

Iвых. мА

Рис. 16.18

К275ЕН1

+ 1,2

0,01

0,01

5

50

а

К275ЕН2

+ 2,4

0.01

0,04

6

50

а

К274ЕНЗ

+ 3

0,005

0,01

6,5

50

а

К275ЕН4

+ 4

0,002

0,005

7,5

50

б

К275ЕН5

+ 5

0,02

0,003

8,5

50

б

К275ЕН8

+ 6,3

0,002

0,003

9,5

50

б

К275ЕН9

 — 6,3

0,002

0,003

9,5

50

в

К275ЕН10

+ 9

0,002

0,002

12,5

50

д

К275ЕН13

+ 12,6

0,002

0,002

16

45

д

К275ЕН14

 — 12,6

0,002

0,002

16

45

г

К275ЕН15

+ 15

0,002

0,002

18,5

50

д

К275ЕН16

+24

0,002

0,002

27,5

35

д

Микросхему можно включать без защиты от к. з., с защитой от к. з., с двумя источниками, с подключением шунтирующего резисто­ра для уменьшения (увеличения) выходного напряжения в преде­лах 10 %, (рис. 16.18, е — з).




Начало  Назад  Вперед