СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


Классификация интегральных схем - часть 3


Средние размеры пленоч­ных резисторов-(1 — 2)Х10~3 см2.

Конденсаторы в ГИС выполняют из тонких пленок меди, сереб­ра, алюминия или золота. Напыление этих металлов производят с подслоем хрома, титана, молибдена, обеспечивая хорошую адгезию с изоляционным материалом подложки. В качестве диэлектрика в конденсаторах используют пленку из оксида кремния, бериллия, двуоксида титана и т. д. Пленочные конденсаторы изготовляют ем­костью от десятых долей пикофарады до десятков тысяч пикофарад размером от 10~3 до 1 см2.

Проводники ГИС, с помощью которых осуществляют межэле­ментные соединения -и подключение к выводным зажимам, выпол­няют в виде тонкой пленки золота, меди или алюминия с подслоем никеля, хрома, титана, обеспечивающем высокую адгезию к изоля­ционному основанию. Гибридные интегральные схемы, у которых толщина пленок, образующихся при изготовлении пассивных эле­ментов, до 1 мкм с шириной 100 — 200 мкм,-относят к тонкопленоч­ным. Такие пленки получают методом термического напыления на поверхности подложек в вакууме с использованием трафаретов, ма­сок. Гибридные интегральные схемы с толщиной 1 мкм и более от­носят к толстопленочным и изготовляют путем напыления на подложки токопроводящих или диэлектрических паст через сетчатые трафареты с последующим их вжиганием в подложки при высокой температуре. Эти схемы имеют большие размеры и массу пассивных элементов. Навесные активные элементы состоят из гибких или жест­ких «шариковых» выводов, которые пайкой или сваркой присоединя-, ют к пленочной микросхеме.

Плотность пассивных и активных элементов при их многослой­ном расположении в ГИС, выполненной по тонкопленочной техноло­гии, достигает 300 — 500 элементов на 1 см3, а плотность монтажа электронных устройств на ГИС — 60 — 100 элементов на 1 см3. При такой плотности монтажа объем устройства, содержащего-107 эле­ментов, составляет 0,1 — 0,5 м3, а время безотказной работы — 103 — 104 ч. -

Основным преимуществом ГИС является возможность частичной интеграции элементов, выполненных по различной технологии (бипо­лярной, тонко- и толстопленочной и др.) с широким диапазоном электрических параметров (маломощные, мощные, активные, пассив­ные, быстродействующие и др.).




Начало  Назад  Вперед