СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


Общие сведения - часть 5


В ак­тивном режиме работы транзистора (Uко<0) значение тока в кол­лекторной цепи определяется числом инжектированных эмиттером в базу неосновных носителей заряда. При токе в эмиттере Iэ>0 уве­личивается приток дырок в базу и их перенос к коллекторнрму пе­реходу, поэтому Iк растет. Особенностью выходных характеристик в схеме с ОБ % является слабая зависимость тока Iк от напряжения Uкб- Допустимая мощность Рк макс, рассеиваемая в коллекторной це­пи транзистора, показана на рисунке в виде параболической кривой.

Входные характеристики транзистора р-n-р в схеме в ОЭ (рис. 55, а) выражают зависимость тока базы Iб=ф(Uбэ) при UKa=const. При увеличении внешнего напряжения Uбэ уменьшается потенциаль­ный барьер в эмиттерлом переходе, возрастает инжекция дырок в базу и увеличивается концентрация дырок в базе, что вызывает рост токов Iэ и Iк. Одновременно с увеличением избыточного заряда дырок в базе больше вероятность их рекомбинации, поэтому ток базы Iб тоже возрастает.

Рис. 54. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзисторов в схеме с общей базой

Выходные характеристики транзистора для схем с ОЭ (рис. 55, б) представляют зависимость тока коллектора Iк=ф(Uкэ) при Iб=const. В активном режиме с подачей на базу отрицательного (от­носительно эмиттера) напряжения через эмиттерный переход прохо­дит ток Iэ, обусловленный инжекцией неосновных носителей в базу. Некоторая часть этих носителей рекомбинирует и создает положительный ток базы Iб, а большая часть экстрагируется в коллектор­ную область, увеличивая ток Iк. В результате выходные характерис­тики, снятые при больших токах базы Iб, идут выше, так как им соответствуют большие значения тока коллектора. Статические ха­рактеристики используют для выбора режима работы транзисторов в усилительных, ключевых и других схемах.

Рис. 55. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером

Параметры. Транзисторы характеризуются следующими пара­метрами: постоянного тока, в режиме малого сигнала, частотными; в режиме большого сигнала и предельных режимов.




Начало  Назад  Вперед