СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


Общие сведения - часть 8


Высокочастотные свойства транзисторов характеризуются сле­дующими частотными параметрами.

Предельная частота коэффициента передачи тока fh216 или fа для схемы с ОБ и fh21э или fр — для схемы с ОЭ — это частота, на которой модуль коэффициента передачи тока уменьшается в \/2 раз, т. е. до 0,7 своего значения на низкой частотте. В схеме с ОЭ h21Э<h21б. Предельная частота непосредственно не определяет частот­ный предел использования транзистора, а ограничивает ту область частот, в пределах которой можно пренебречь частотной зависимо­стью параметров.

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр — частота, на которой модуль коэффициента передачи тока транзистора, вклю­ченного по схеме с ОЭ, равен единице. Для любой частоты диапазо­на от 0,1 fгр до fгр модуль коэффициента передачи тока изменяется вдвое при изменении частоты в 2 раза. Модуль коэффициента пере­дачи тока |A218|=frp/f. Предельная и граничная частота связаны соотношениями: fh21Э=fh216/h21Э; fh216=h21Эfh21Э; fгр=0,8 fh21б.

Максимальная частота генерации fмакс (МГц) — наибольшая ча­стота, на которой транзистор способен генерировать колебания в схе­ме автогенератора при, оптимальной обратной связи:

где r6 — сопротивление базц. Ом; Ск — емкость коллектора, пФ.

Параметры в режиме большого сигнала харак­теризуют работу транзисторов в режимах, при которых токи и на­пряжения между выводами транзистора меняются в широких пре­делах. Эти параметры используют для оценки режима работы тран­зистора в мощных каскадах усилителей, автогенераторах, импульс­ных схемах. К параметрам в режиме большого сигнала относят сле­дующие

Статический коэффициент передачи тока h213 (или 5Ст) опреде­ляется как отношение постоянного тока коллектора к току базы (h21э=:Iк/Iб) при заданном напряжении Uкэ.

Напряжение насыщения базаэмиттер Uбэн и коллектор — эмит­тер Uкан. В режиме насыщения оба р-га-перехода транзистора нахо­дятся в проводящем состоянии. В этом режиме базовая область по­лучает дополнительный заряд,-создаваемый подвижными носителями. .В режиме насыщения при включении и выключении транзистора не­обходимо дополнительное время для накопления и рассасывания из­быточного заряда, что снижает скорость переключения.




Начало  Назад  Вперед