СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


Общие сведения


Транзисторы представляют собой электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним или несколькими электричес­кими переходами, пригодные для усиления мощности сигнала и име­ющие три (или более) внешних вывода. Наиболее распространенные транзисторы имеют два электронно-дырочных перехода. В двухпереходных транзисторах используют два различных типа носителей за­ряда (электроны и дырки), поэтому их называют биполярными.

Основным элементом биполярного транзистора (рис. 52, а, б) яв­ляется кристалл полупроводника, в котором с помощью примесей созданы три области с различной .проводимостью.» Если средняя об­ласть имеет электронную проводимость типа n, а две крайние — ды­рочную проводимость типа р, то структура такого транзистора обо­значается р-n-р в отличие от структуры n-р-n, при которой транзис­тор имеет среднюю область с дырочной, а крайние области — с электронной проводимостями.

Средняя область кристалла полупроводника 1 (рис. 52, а), слу­жащая основой для образования электронно-дырочных переходов, называется базой, крайняя область 2, инжектирующая (эмигрирую­щая) носители заряда, — эмиттером, а область 3, собирающая ин­жектированные носители заряда, — коллектором. К каждой из двух областей припаяны соответственно эмиттерный Э, базовый Б и кол­лекторный К токоотводы, которыми транзистор включается в схему. Кристалл укрепляют на специальном кристаллодержателе и. помеща­ют в герметизированный металлический, пластмассовый или стеклян­ный корпус. Внешние токоотводы электродов проходят через изоля­торы в дне корпуса.

Рис. 52. Устройство биполярного транзистора (а) и его условное обозначение (б)

Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называ­ется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Базовая область транзистора выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 10 — 20 мкм). Различна степень легирования областей. Обычно концентрация примесей в эмиттере на 2 — 3 порядка выше, чем в базе.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин