СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА

       

Транзисторы большой мощности


Низкочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ703 (А — Д) применяют для работы в выходных каскадах УНЧ и выпускают в металличес­ком герметичном корпусе массой 15 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +55 °С. Электрические параметры транзисторов поиведены ниже.



 

ГТ703А

ГТ703Б

ГТ703В

ГТ703Г

ГТ703Д

Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Uк=1 В, Iк=50 мА

30-70

50 — 100

30 — 70

50 — 100

20-45

Ток коллектору, А, в диапазоне ра­бочей темпера­туры ......

 

 

3,5

 

 

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=10 В . .

 

 

50

 

 

Предельная ча­стота передачи тока, кГц, в схеме с ОЭ при UK=2 В и Iк=0,5 А ...

 

 

10

 

 

Обратный ток коллектора *, мкА

 

 

500

 

 

Напряжение Uкэ, В, при Rб=50 Ом и Тк=55 °С .....

20

20

30

30

40

Напряжение Uкэ, В, в режиме насыщения при Iк=3 А ....

 

 

0,6

 

 

Напряжение Uбэ, В, в режиме насыщения ** при Iк=3 А . , . ,

 

 

1

 

 

Мощность, рас­сеиваемая кол­лектором, Вт:

с теплоотво-дом *** при TК<409С . .

15

без теплоот­вода ....

1,6

Тепловое со­противление пере- ход — корпус,

°С/Вт .....

3

Температура пе­рехода, °С . . .

85

* При напряжении коллектор — база, В, для групп ГТ703: 20 (А, Б), 80 (В! Г, Д). .

** При токе базы, мА, для групп ГТ703: 150 (А, Б), 90 (Б, Г) и 225 (Д). *** При температуре корпуса выше 40 °С мощность, Вт, Ркмакс= -=(85-Гс°С)/3.

Транзисторы n-р-n КТ704 (А, Б, В) применяют для работы в схемах строчной развертки цветных телевизоров и выпускают в ме­таллическом корпусе с монтажным винтом и жесткими выводами (рис. 67), массой 15,5 г. Электрические параметры приведены ниже.

Рис. 67. Цоколевка и основные размеры тран­зистора КТ704

 

ГТ704А

ГТ704Б

ГТ704В

Статический коэффициент передачи тока при UK= 15 В и Iэ=1 А ....

15

15

15

Модуль коэффициента пе­редачи тока при f= 1 МГц Uк=10 В и Iк=0,1 А .. . .

3

3

3

Ток коллектора, А: постоянный при Тк= +50°С

 

2,5

 

 Импульсный, А .......

 

4

 

Начальный ток коллекто­ра, мА ........

5

 

Обратный ток эмиттера, мА, при Uб=4 В . . . .

100

Импульсное напряжение UK3, В, при Rб<10 Ом, гимп=10 мс и Q<50 . . .

1000

700

500

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=2 Аи 7б=1,5А: база — эмиттер . . ,

3

коллектор — эмиттер

5

Постоянное напряжение

икэ, в ........

200

Напряжение UЭб, В . ,

4

Ток базы, А ..... Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при Tй= - + 50°С . ......

2 15

Граничная частота пере­дачи тока, МГц ... . .

3

Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт .

5

Температура корпуса, °С

100

Температура перехода, °С

125


Среднечастотные. Транзисторы n-р-n КТ805 (А, Б) применяют для работы в выходных каскадах строчной развертки телевизоров, схемах зажигания автотракторных двигателей и выпускают в ме­таллическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68, а), массой 25 г (без накидного фланца) и 10 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +100°С. Электрические параметры транзисторов приве­дены ниже.



Рис. 68. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — КТ805, б — ГТ806 (К.Т808, К.Т809)

 

КТ805А

КТ805Б

Статический коэффициент переда­чи тока при Uк=10 В и Iк=2 А при +20 и — 55 °С соответственно . . .

15 и 5

Модуль коэффициента передачи тока при ,Uк= 10 В, Iк=1 А и f= 10 МГц .......... .

2

Ток коллектора, А .......

5

Импульсный ток коллектора, А,

 

 

при Тимп=200 мкс и скважности 1,5

8

Импульсный начальный ток коллек­тора, мА, при Rб=10 Ом при 20 и 100°С соответственно ......

60 и 70

Обратный ток коллектора, мкА, при UK6 — 5 В .........

100

Ток базы, А . . .......

2

Импульсный ток базы, А, при тимп<20 мкс .........

2,5

Напряжения насыщения Uбэ и UMt

 

 

В, при Iк=5 А и I6=0,5 А ....

Импульсное напряжение UK3 *, В, при tИМП<500 мкс с фронтом нара­стания тфн<15 ,мкс, Rб=10 Ом и Tп<1000С .

2,5

160

5

135

Напряжение UЭб, В .....

5

 

Мощность **, Вт, рассеиваемая коллектором, при ГК<500С . . .

30

Температура перехода, °С . . .

150

* В схеме строчной развертки телевизора для КТ805А импульсное напряжение Uкэ допускается 180 В при тимп<15 мкс и ТК<70°С. В диапазоне температур от 100 до 150 °С Uкэ снижается на 10% на каждые 10 °С от значения UK3 при 100 °С.

** В диапазоне температур от 50 до 100 °С мощность, Вт, Рк макс= «=(150-TК°С)/3,3.

Транзисторы р-n-р ГТ806 (А — Д) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68,6), массой 28 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 55 до +55 °С.


Электрические парамет­ры приведены ниже.

ГТ806А

ГТ806Б

ГТ806В

ГТ806Г

ГТ806Д

Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Iк=10 А ....

10 — 100

10 — 100

10 — 100

10 — 100

10 — 100

Напряжение Uкб, В . ...»

75

100

120

50

140

Напряжение Uкэ, В, запертого транзистора при

Uбэ=1 В ....



100

120

50

140

Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк== 15 А, Iб=2 А:

 
коллектор — эмиттер . . .

0,6

 
база — эмит­тер ....

1

 
Напряжение

Uэб, В .....

1,5

 
Ток коллектора в режиме насыще­ния, А ....

.15

 
Ток коллектора запертого тран-зистора7 мА, при Uбэ=1 В и пре­дельно допусти­мых напряжени­ях UКЭ

15

 
Ток базы, А . .

3

 
Обратный ток эмиттера, мА, при Uэб = 1,5 В ...

8

 
Предельная ча­стота передачи то­ка, МГц, при UK= 5 В, Iк=1 А . .

10

 
Тепловое со­противление пе­реход — корпус, сС/Вт .....

2

 
Мощность, Вт, рассеиваемая кол­лектором, при тем­пературе корпуса, °С: 30 .....

30

 
55 .....

15 ,

 
Температура пе­рехода, °С . . ,

85

 
Время переклю­чения. МКС . . .

5

 
Транзистор n-р-n КТ808А выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (см. рис. 68, б), массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до тЫОО°С, Электрические параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=3 В и Iк=6 А................. 10 — 50

Модуль коэффициента передачи тока при f=3,5 МГц, Uк=10 В и Iэ = 0,5 А............. 2

Ток коллектора, А.............. 10

Начальный ток коллектора, мА, при Uкэ=120 В . . 3 Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=10 В и 1э=

= 0,5 А.................. 50

Ток базы, А................ 4

Емкость коллектора, пФ, при f=1 МГц и Uк6= 100-В 500 Напряжение UЭб, В, в режиме насыщения при Iк=6 А



и I6 = 0,6 А................. 2,5

Напряжение UKa, В, при Rо=10 Ом....... 120

Импульсное напряжение Dm, В, при тинп = 500 мкс, скважности 1,5 и TП<10°С........... 250

Напряжение UЭб, В............. 4

Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт . .. 2

Мощность, * рассеиваемая коллектором, Вт, при тем­пературе корпуса ниже 50 °С:

с теплоотводом.............. 50

без теплоотвода.............. . 5

Температура перехода, °С ......... . 150

* При температуре корпуса более 50 °С мощность, Вт, Ркмакс= (150-Тк)/2.

Транзисторы n-р-n КТ809А используют для работы в выходных каскадах строчной развертки, усилителях импульсных сигналов и других радиоэлектронных устройствах, их выпускают в металличе­ском корпусе с жесткими выводами (см. рис. 68,6), массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электриче­ские параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=5 В и Iк=2 А............15 — 100

Модуль коэффициента передачи тока при f= 3,5 МГц, Iк=0,5 А........... 1,5

Ток коллектора, А, в рабочем диапазоне темпе­ратуры................. 3

Импульсный ток коллектора, А, при тиып<400 мкс............... 5

Начальный ток коллектора, мА, при Uка=400В 6

Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=4 В . . 50

Ток базы, А.....,......... 1,5

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 2 А и Iб=0,4А:

коллектор — эмиттер.......... 1,5

база — змиттер............2,3

Напряжение UK3, В, при R6<100 Ом и темпе­ратуре от — 60 до +100 °С ......... 400

Напряжение UЭб, В, в диапазоне рабочих тем­ператур ................ 4

Граничная частота коэффициента передачи то­ка, МГц...............« 5,5

Продолжение

Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, с

теплоотводом при Тк= — 60-+500С..... 40

Температура перехода, °С ......... 1ЗД

* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Pк.макс= (150-Гк)/2,5.



Рис. 69. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — ГТ905, б — КТ907, в — КТ908, г — КТ911



Высоко- и сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ905 (А, Б) выпускают в металлопластмассовом или металлостеклянном корпусе (рис. 69, а), массой соответственно 7 и 4,5 г (с крепежным фланцем 6 г), с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент переда.чи тока при U„=10 В и Iк=3 А............35 — 100

Модуль коэффициента передачи тока для ГТ905Б при Uк=10 В, Iа=0,5 А и f=20 МГц . . 3

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UКб=30 В, Iэ=0,03 А и f=10 МГц .... 300

Ток коллектора, А:

постоянный............. 3

импульсный при тимп=?20 мкс...... 7

Ток базы, А:

постоянный.............0,6

импульсный............. 1

Обратный ток, мА:

коллектора ..... ........ 2

эмиттера при UЭб = 0,4 В ........ 5

Емкость коллектора, пФ, при UКб=30 В и f= 10 МГц................200

Напряжение, В, в режиме насыщения при 1К= 3 А и I6=0,5 А:

база — эмиттер . . ........... 0,7

коллектор — эмиттер . ......... 0,5

Напряжение Uкэ, В, при разомкнутой цепи ба­зы и Iэ = 3 А.............. 65

Напряжение Uкэ, В, для транзисторов:

ГТ905А............... 75

ГТ905Б............... 60

Напряжение Uкэ, В, на запертом транзисторе

для ГТ905А при тимп = 20 икс ........ 130

Общее тепловое сопротивление, °С/Вт , , . t 50

Мощность, Вт, рассеиваемая коллектором:

с теплоотводом при Тк — — 55-+30°С ... 6

без теплоотвода при Гн== — 55-+25°С ... 1,2

Температура перехода, °С......... 85

Транзисторы n-р-n КТ907 (А, Б) выпускают в металлокерамическом корпусе с винтом и жесткими выводами (рис. 69, б) , массой 5,3 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Элект­рические параметры приведены в табл. 125.

Таблица 125

Параметры

Типы транзио торов

ГТ907А

 ГТ907Б

Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ=28 В, Iк= 400 мА и f=100 МГц

3,5

3

Постоянная времени цепи обратной связи, не, при Uк=т10 В Критический ток коллектора, мА, при Uкэ=10 В и f= 100 МГц

15 1000

25 800

Выходная мощность, Вт, при РВх=4 Вт, UKЭ = 28 В и f= 400 МГц

9

7

Емкость коллектора, пФ, при UКб — 30 В

20

20




Начальный ток коллектора, мА, при UКэ = 60В, Rб=100 Ом и температуре среды 20 и 85 °С соот­ветственно ............... 3 и 6

Ток коллектора, А:

постоянный............. 1

импульсный............. 3

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uбэ=4 В и температуре среды 20 и 85 °С соответственно . 350 и 700

Ток базы, А .............. 0,4

Напряжение Uн, В, при котором наступает пе-

реворот фазы базового тока, при Iэ=200 мАч . 40

Напряжение UКэ, В, при Rб=100 Ом .... 60

Напряжение U9б, В.......... 4

Импульсное напряжение Uкв, В ..... - 70

Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, при

Tк=25 °С . . . . . ........ . . . 13,5

Коэффициент полезного действия при £к=28 В

и f=400 МГц, %............. 45

Температура корпуса, °С ........ 85

Температура перехода, ЬС ......... 120

* При температуре корпуса от 25 до 85 °С мощновть, Вт, Pк.макс=( 120-T ксС)/7,5.

Транзисторы n-р-n КТ908 (А, Б) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 69, в), массой 22 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 60 до + 125 °С. Электрические пара­метры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при UK=2 В и Iк=10 А............. . 8 — 60

Начальный ток коллектора, мА, при UКэ=100 В 25

Ток коллектора,- А............ 10

Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=5 В ... 50

Ток базы, А............... 5

Напряжение UM, В, в режиме насыщения при Iк= 10 А и Iб=2 А............. 1,5

Напряжение UKa, В, при Т0= — 60-100°С для групп:

КТ908А при Rб<10 Ом.......... 100

КТ908Б при Rб<250 Ом ......... 60

Напряжение U8о, В............ 5

Граничная частота передачи тока, МГц .... 30 Мощность*, Вт, рассеиваемая коллектором, при

Tн<50°С.................. 50

Температура перехода, °С.......... 150

* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Рк.макс=(150 — Tк)/2.

Транзисторы n-р-n КТ911 (А — Г) выпускают в металлическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом (рис. 69, г), массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С.


Электрические параметры приведены в табл. 126.

Таблица 126

Параметры

Типы транзисторов

КТ911А

КТ911Б

КТ9ИВ | КТ9ИГ

Модуль коэффициента пере* дачи тока при f=400 МГц, 1 U„=10 В и Iк=100 мА

1,5-5,2

2 — 3,8

2,5 — 5,2

2 — 3,8

Постоянная времени цепи

25

25

50

103

обратной связи, пс, при

 

 

 

 

f=5 МГц, Uк=10 В и Iк=

 

 

 

 

= 30 мА

 

 

 

 

Критический ток коллекто-

170

150

160

140

ра, мА, при f=400 МГц

 

 

 

 

Выходная мощность, Вт,

 

 

 

 

при Uк =28 В и Рвх=

 

 

 

 

= 0,4 Вт на частоте, ГГц:

 

 

 

 

1,8

1

 —

0,8



1

 —

1

 

0,8

Ток коллектора, мА

400

400

400

400

Обратный ток коллектора,

 

 

 

 

мкА;

 

 

 

 

при Uкб =55 В

5

5



__

при Uкб =40 В

 —

 —

10

10

Обратный ток эмиттера,

2

2

2

2

мкА, при Uкб=3 В

 

 

 

 

Емкость коллектора, пФ,

3,5 — 10

3,5 — 10

3,5 — 10

3,5-10

при f=5 МГц и Uкб=

 

 

 

 

= 28 В

 

 

 

 

Напряжение UKB, В, . при

40

40

30

30

Напряжение UK6, В

55

55

40

40

Напряжение U3s, В

3

3

3

3

Мощность *, Вт, рассеивае-

3

3

3

3

мая коллектором при TК=

 

 

 

 

= — 40-+25°С

3

3

3

3

Температура корпуса, °С

85

85

85

85

Температура перехода, °С

120

120

120

120

* При температуре корпуса 25 — 85° С мощность, Вт, Рк.макс.=(120 — Tк)/33.

 

 



Содержание раздела